Αρχειοθήκη ιστολογίου

Παρασκευή 22 Φεβρουαρίου 2019

Hole mobility model for Si double-gate junctionless transistors

Chen, F; Wei, K; Sha, WEI; Huang, JZ; (2018) Hole mobility model for Si double-gate junctionless transistors. In: 2017 IEEE Electrical Design of Advanced Packaging and Systems Symposium (EDAPS). IEEE: Haining, China. Green open access

https://ift.tt/2BPxj2q

Δεν υπάρχουν σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου