Αρχειοθήκη ιστολογίου

Σάββατο 27 Ιανουαρίου 2018

High Performance Resistance Switching Memory Devices Using Spin-on Silicon Oxide

Ng, W; Mehonic, A; Buckwell, M; Montesi, L; Kenyon, AJ; (2018) High Performance Resistance Switching Memory Devices Using Spin-on Silicon Oxide. IEEE Transactions on Nanotechnology , 17 (In press).

http://ift.tt/2nhShix

Δεν υπάρχουν σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου