Αρχειοθήκη ιστολογίου

Τετάρτη 31 Ιανουαρίου 2018

Investigation of Resistance Switching in SiOx RRAM Cells Using a 3D Multi-Scale Kinetic Monte Carlo Simulator

Sadi, T; Mehonic, A; Montesi, L; Buckwell, M; Kenyon, A; Asenov, A; (2018) Investigation of Resistance Switching in SiOx RRAM Cells Using a 3D Multi-Scale Kinetic Monte Carlo Simulator. Journal of Physics: Condensed Matter 10.1088/1361-648X/aaa7c1 . (In press).

http://ift.tt/2EpZuFd

Δεν υπάρχουν σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου